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          Molybdenum_Mo

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          化學成分Mo
          原子量95.96
          原子序數42
          純度3N5-5N
          顏色/外觀灰色/金屬
          導熱性139 W/m.K
          熔點 (°C)2,617
          熱膨脹序數4.8 x 10-6/K
          理論密度 (g/cc)10.2
          Z 比率0.257
          濺射直流
          最大功率密度*                              (瓦/平方英寸 )100
          背板連接
          用途半導體行業


          濺射是薄膜沉積的制造過程,是半導體,磁盤驅動器,光盤和光學器件行業的核心。

          對于電子層面, 濺射是指由高能粒子沖擊靶材而將原子從靶材或源材料上噴射出來,沉積在基板(如硅晶片、太陽能電池板或光學器件)的過程。濺射過程開始前,將要鍍膜的基板放置在含有惰性氣體(通常是氬氣)的真空室中,在靶源上施加負電荷,然后靶源沉積到基板,引起等離子體發光。

          濺射率因沖擊粒子的能量、入射角度、粒子和靶原子的相對質量、靶原子的表面結合能的不同而變化。物理氣體沉積的幾種不同方法被廣泛的應用于濺射鍍膜機,包括離子束、離子輔助濺射、氧氣環境下反應濺射、氣流和磁電管濺射。

          立承德可以幫助您確定您需要的沉積材料,以符合您的物理沉積要求,并可以幫助您選擇最好的合金和化合物,以符合您的精確薄膜涂層規格。

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